图1：模拟构型与滑移带设置。模型尺寸约为42 nm×14 nm×3 nm，包含约14万个原子，x、z方向采用周期边界，y方向为自由表面。倾斜的主滑移带贯穿上下表面，次级滑移带位于FCC区域内部并由Shockley部分位错限定；图中展示ε马氏体带与ε马氏体带交汇的初始构型。作者通过改变主、次滑移带类型及次级部分位错的90°刃型或30°混合型特征，构建八种交汇情形，在外加剪应力下观察其自然演化。

图3：γ奥氏体逆转变由部分位错环推动。90°刃型次级孪晶带接触主ε马氏体带后，主带内部形核新的部分位错环；环扩展后，在周期边界作用下形成位错偶极子，并在HCP结构中留下局部FCC区域。后续位错环继续形核、扩展，使逆转变区域深入主带，最终部分位错排列成较平整的相界，并引起密排面约20°的转动。动态轨迹显示，相变依赖主带内新生缺陷环的活动，未出现次级带部分位错直接传入主带的过程。

图4：α′马氏体通过界面台阶位错环形核与长大。对于30°混合型的ε/ε交汇构型，BCC小岛先在主ε带两侧形成，随后增厚、扩展并合并为贯穿主带的α′区域。DXA与ILDA联合分析表明，BCC小岛周围存在同时具有位错与台阶特征的界面线缺陷，其中主要相变台阶位错的台阶高度约为2.0 Å。其环状缺陷的扩展与重复形核推动界面迁移和马氏体增厚；次级带Shockley部分位错仍然保持可辨识状态，支持该过程中没有发生滑移传递。界面迁移还伴随建立特殊共格状态所需的少量原子重排。

图6：局部剪应力演化揭示形核位置及相变驱动力。1 K下，次级孪晶带接触主ε带后，α′首先在交汇处的应力集中区域形核，再合并为贯穿主带的BCC区域。沿外加剪切方向的σyz局部可接近3 GPa，并随相变推进形成暂态应力分布；另一剪应力分量σxy在相变前已在主带内明显升高，完成相变后显著松弛。作者据此将σxy相关应变能的降低解释为相变驱动力，将σyz相关暂态应变能解释为相变能垒的一部分。应力采用12 Å邻域平均，数值应作半定量理解。

图7：升温验证了所观察转变路径的稳健性。作者在100、300和500 K下模拟30°混合型孪晶带与ε带交汇，各温度均观察到α′马氏体形成，整体形貌和演化过程与1 K结果相似。高温计算采用排斥壁势调整表面约束，以避免原约束方式引起表面非晶化。模拟中的α′随后会逆转为含缺陷的γ区域，作者将这一现象归因于所用势函数对各相相对自由能描述的不足。因此，这组结果主要支持转变过程的可重复出现，不能用于判定真实合金中α′的长期热稳定性。

图9：晶胞变化说明相变难以简化为均匀应变。两个相邻HCP晶胞中可以识别出边长尚不相等的畸变BCC晶胞雏形；随着相变台阶位错运动及少量原子重排，该雏形转变为BCC晶胞。分析发现，晶胞内部剪切变化并不均匀，所观察转变不能简单用单一均匀相变应变张量描述。以柏氏矢量、台阶高度和界面线缺陷迁移为核心的拓扑分析，则能够连接局部原子运动与相界推进，解释这条具体的HCP→BCC路径。