二维过渡金属硫族化合物的控制合成取得新进展

2017-05-15 15:08:56 作者：本网整理来源：清华大学分享至：

二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有丰富的元素组成与材料特性，在纳电子器件、新型光电器件及催化等领域具有潜在的应用前景。目前，发展可控合成方法是研究这类材料新奇物性进而探索其应用的关键。

近期，焦丽颖课题组提出了二维TMDCs的化学气相输运合成新方法，通过对生长动力学进行调控，实现了多种二维半导体材料，如MoS2、MoSe2、ReS2等材料的控制合成，为二维原子晶体的控制合成提供了新方法，拓展了二维半导体的材料体系。相关工作发表在Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 3611，第一作者为化学系博士研究生胡大珂。

此外，针对二维TMDCs层数控制合成的问题，他们以前驱体设计为切入点，通过对生长动力学的控制，实现了二维MoS2的层数控制合成。系统研究了二维MoS2的能带间隙、光谱、电学等性质与层数的关联，在此基础上构建了具有高迁移率的场效应晶体管、整流二极管等器件，为高性能二维器件的构筑提供了新思路。相关工作发表在Adv. Mater. 2017, 29, 1604540，第一作者为化学系博士研究生郑晶莹。